调压可控硅总经销

    其输出电压的变化是由导通角的变化来决定的。相位控制部分正是根据调整管压降的变化来改变可控硅导通角，进而改变整流滤波电路输出电压，将调整管压降维持在3V左右。该稳压电源中，采用KJ785晶闸管移相触发电路。因为作为一种电源产品，应力求在实现同样功能的前提下，器件性能好，电路简单，实现容易。该触发电路可以输出两路相差180度的触发脉冲，可在0～180度范围移相，可用于控制单相、双向晶闸管和晶体管。KJ785由同步检测寄存电路，基准电源，锯齿波形成电路，移相电压和锯齿波综合比较电路与逻辑控制功率放大等部分组成。锯齿波斜率决定于9脚外接电阻和10脚外接电容。脉冲宽度由脚外接电容决定，不接该电容时，脉冲宽度由内接电容决定，约为30μs。KJ785只需单电源工作，触发电路为负极性，即移相电压增加，导通角减小。同步电压从5脚输入，可以直接取自电网电压，降压限流电阻取电网电压×103Ω，也可采用同步变压器隔离输入。7，6脚可提供脉冲列和脉冲封.锁的控制端。各管脚功能如表1所示。由于该稳压电源是大功率电源，有发热量较大的变压器、整流二极管、可控硅、集成稳压器等，更主要的是，调整管是大功率晶体管，发热较大。因此该稳压电源中，采用风扇送风。可控硅调整器采用移相式触发方式、适用于阻性负载、感性负载、变压器一次侧等各种负载类型。调压可控硅总经销

    摘要：为了深入了解双向可控硅内部电路和工作原理，以运用简便易懂的三极管为主，依据双向可控硅内部P型半导体和N型半导体的分布，设计一种可以被双向触发导通的电路。并从理论上来对其进行论述，通过实际电路制作对其进行了验证，在实际运用方面达到与双向可控硅具有同样的效果。0引言双向可控硅（TRIAC）在控制交流电源控制领域的运用非常广.泛，如我们的日光灯调光电路、交流电机转速控制电路等都主要是利用双向可控硅可以双向触发导通的特点来控制交流供电电源的导通相位角，从而达到控制供电电流的大小[1]。然而对其工作原理和结构的描述，以我们可以查悉的资料都只是很浅显地提及，大部分都是对它的外围电路的应用和工作方式、参数的选择等等做了比较多的描述，更进一步的--哪怕是内部方框电路--内容也很难找到。由于可控硅所有的电子部件是集成在同一硅源之上，我们根本是不可能通过采用类似机械的拆卸手段来观察其内部结构。为了深入了解和运用可控硅，依据现有可查资料所给P型和N型半导体的分布图，采用分离元器件--三极管、电阻和电容--来设计一款电路，使该电路在PN的连接、分布和履行的功能上完全与双向可控硅类似。调压可控硅总经销在备用UPS中只需要给蓄电池充电，不需要给负载供电，故只有充电机。

    新型跟.踪式可控硅直流稳压电源信息时代里，BP机已成为常用的通信工具。目前，我国BP机总台的发射设备都采用进口设备，其输出电压为13．8V，电流为15～20A。进口电源不带可控硅部分，而我国电网波动较大，为此设计了这种低成本稳压电源。该设计在串联反馈调整型稳压电源的基础上加装了可控硅相位控制装置，用调整管两端压降来控制可控硅触发的导通角，维持调整管压降不变，从而设计出跟.踪式大功率直流稳压电源。该稳压电源限制了调整管功耗，实现了大功率。该稳压电源主要由单相半控桥整流滤波、线性稳压器及可控硅相位控制等环节组成，并加装了过流保护、短路保护、过热保护装置及显示部分。在220V电网电压波动±15％情况下，输出电压13．8V，输出电流可达20A。由于采用了可控硅相位控制技术，能将调整管两端压降限制在3V左右，功耗不大于40W，提高了电源效率。当输出电流超过20A时，限流保护可减小输出电流。若输出短路，短路保护输出封.锁信号关断可控硅。调整管温度高于60℃时启动电扇，温度低于40℃时关断电扇，温度高于80℃时关断可控硅。该电源采用集成可控硅触发器，双运算放大器及具有温度补偿的稳压管作基准源，并配有三端稳压器作为辅助电源，实现了高精度。

双向晶闸管的电极引线不规则，通常G极是在T1极侧引出而不是T2极侧。双向晶闸管的两个主电极T1和T2还是有区别的，双向晶闸管的触发通常是相对与T1与G之间的电流。

可控硅的作用之一就是可控整流，这也是可控硅最基本也最重要的作用。大家所熟知的二极管整流电路只可完成整流的功能，并没有实现可控，而一旦把二极管换做可控硅，便构成了一个可控整流电路。

 在一个最基本的单相半波可控整流电路中，当正弦交流电压处于正半周时，只有在控制极外加触发脉冲时，可控硅才被触发导通，负载上才会有电压输出，因此可以通过改变控制极上触发脉冲到来的时间，来进一步调节负载上输出电压的平均值，达到可控整流的作用。 除了为负载供电外，整流器/充电机应能在10倍于放电时间的时间内，将蓄电池的放电功率恢复到95%。

    控制交流负载回路的通断，通常会用到继电器。继电器是机械式触点的电磁元器件，可以实现弱电控制强电的目的。但是在带电流分断负载回路时，会产生电弧腐蚀触点，降低了继电器的使用寿命，并且继电器触点的响应时间在ms级别，不适合用于高速通断的回路中。题目不想用继电器来控制交流回路的通断，那么可以考虑使用可控硅来实现。1什么是可控硅可控硅是具有四层结构的PNPN型半导体器件，可以看作是由两个三极管所构成的元器件，可控硅的半导体结构如下图所示。可控硅从导通方向可以分为单向可控硅SCR和双向可控硅Triac。单向可控硅的三个电极分别是阳极A、阴极K和控制极G；双向可控硅的三个电极分别为T1，T2以及控制G。可控硅的在导通后，及时将控制信号去掉，可控硅仍然处于导通状态。在交流负载回路中，一般使用双向可控硅。2可控硅控制回路的设计单片机控制可控硅回路的通断时，比较好使用光耦做隔离。所设计的可控硅控制电路如下图所示。单片机的输出端接三极管的基极，通过三极管来控制光耦的通断，图中以灯泡作为负载。当单片机输出高电平时，光耦导通，此时可控硅的控制极有触发信号，并且T1和T2上的交流电源满足导通条件。单片机输出低电平时，光耦截止。调整器是一种以可控硅（电力电子功率器件）为基础，以智能数字控制电路为核.心的电源功率控制电器。调压可控硅总经销

整流器广.泛用于各种形式的整流电源中。调压可控硅总经销

   门极关断晶闸管的检测1)判别各电极：门极关断晶闸管三个电极的判别方法与普通晶闸管相同，即用万用表的R×100档，找出具有二极管特性的两个电极，其中一次为低阻值(几百欧姆)，另一次阻值较大。在阻值小的那一次测量中，红表笔接的是阴极K，黑表笔接的是门极G，剩下的一只引脚即为阳极A。触发能力和关断能力的检测：可关断晶闸管触发能力的检测方法与普通晶闸管相同。检测门极关断晶闸管的关断能力时，可先按检测触发能力的方法使晶闸管处于导通状态，即用万用表R×1档，黑表笔接阳极A，红表笔接阴极K，测得电阻值为无穷大。再将A极与门极G短路，给G极加上正向触发信号时，晶闸管被触发导通，其A、K极间电阻值由无穷大变为低阻状态。断开A极与G极的短路点后，晶闸管维持低阻导通状态，说明其触发能力正常。再在晶闸管的门极G与阳极A之间加上反向触发信号，若此时A极与K极间电阻值由低阻值变为无穷大，则说明晶闸管的关断能力正常，图7是关断能力的检测示意图。也可以电路来检测门极关断晶闸管的触发能力和关断能力。电路中，EL为6．3V指示灯(小电珠)，S为转换开关，VT为被测晶闸管。当开关S关断时，晶闸管不导通，指示灯不亮。将开关S的K1触点接通时。 调压可控硅总经销

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